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元器件采购网 > S-398页 > FET - 单SI1012X-T1-GE3

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SI1012X-T1-GE3

SC-89,SOT-490 Vishay Siliconix 6168 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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SI1012X-T1-GE3参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):500mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):700 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.75nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装

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